讯石光通讯人才简历
简历最后更新时间:2019/1/10 11:25:07
基本资料
姓名: 封先生   我的相片
性别: 身高:  0 CM
出生日期:  1983-12 体重:  0 KG
户口所在地:  陕西省|西安 学历:  硕士
民族:  汉族 毕业时间:  0
联系信息: 【您未登陆,无法查阅联系方式!】
工作经验年限: 7~10年
英语水平:  
* 期望工作性质: 全职
* 意向职位/岗位: 生产/工程技术,生产/工程技术类全部
* 意向工作地区: 陕西省,西安
期望岗位: ,,
待遇福利期望:  
当前岗位/待遇:  
所学专业:  
教育经历: 2008年9月 ~ 2011年7月 南昌大学-国家硅基LED工程中心 | 材料科学类 | 硕士 | 全日制统招:是

2004年9月 ~ 2008年7月 南昌大学 | 材料科学类 | 本科 | 全日制统招:是

培训经历
2012年6月 ~ 2012年6月 万泰教育 | ISO9001:2008质量管理体系

获得证书: 内审员资格证书 
工作经历: 2017年3月—2018年6月    珠海保税区光联(Molex)通讯技术有限公司 (1年3个月)

工艺研发工程师  1000元/月以下

行业类别: 电子技术/半导体/集成电路

公司规模: 1000-9999人

公司性质: 外商独资

工作描述:  1. 负责100Gbps光收发器件封装设计,工艺开发及性能优化,主导改善了几款光电器件产品的高速传输特性,提升了器件传输性能。
2. 负责公司25Gbps高速率DFB激光器封装相关设计及工艺开发工作,主导开发完成DFB,PIN倒装光电二极管金锡共晶键合工艺,解决改善100Gbps项目DFB激光器可靠性失效问题,提升了公司此制程工艺水准。
3. 负责25Gbps TO类光发射器件产品结构设计及性能验证,主导解决了组装工艺过程相关问题,提升产品品质。
4. 协助各项目采用ANSYS进行热分析及基板高频性能仿真,指导了产品设计方向。
5. 主导25G EML激光器设计,工艺开发,前期性能验证。
2014年3月—2017年3月    西安炬光科技股份有限公司(3年)

研发工程师,项目负责人,生产工程师  1000元/月以下

行业类别: 电子技术/半导体/集成电路

公司规模: 100-499人

公司性质: 上市公司

工作描述:  1. 全面负责高功率半导体激光器项目立项,设计到转生产NPI相关工作,完成多款激光器设计及转产工作,熟悉各类单管,单巴,水平阵列,光纤耦合等多款激光器结构和工艺。
2. 负责高功率半导体激光器封装工艺设计和开发,独立完成多种类别激光器的结构设计和工艺开发,某些主导的产品寿命超过1万小时。
3. 负责无铅焊料工艺稳定及提升,特殊熟悉金锡焊料及共晶工艺,铟等焊料及其焊接工艺。
4. 负责封装工段及光学准直生产线稳定维护及提升,包括芯片解理,DB和WB,Reflow等工艺,同时负责生产线自动化提升。
5. 负责各类客户订单技术评审,出货及售后技术支持相关工作。
2011年3月—2014年3月    杭州士兰明芯科技有限公司(3年)

研发工程师  1000元/月以下

行业类别: 电子技术/半导体/集成电路

公司规模: 1000-9999人

公司性质: 上市公司

工作描述:  1. 氮化镓基化合物半导体芯片结构设计及工艺开发,完成氮化镓类化合物半导体芯片版图设计,工艺开发,如电极结构设计及制造方式,干法和湿法微刻蚀工艺参数摸索,PECVD工艺等细节参数的摸索。
2. 协助氮化镓基高电子迁移器件工艺开发和流片验证。 
3. 负责氮化镓基功率型垂直结构发光二极管芯片的设计和研发,完成氮化镓基功率型垂直结构发光二极管芯片设计和工艺开发,主要包括电极欧姆接触研究,反射镜工艺开发,芯片湿法独立化工艺开发,湿法粗化提高出光工艺开发。
4. 负责透明导电膜ITO溅射镀膜及RTA工艺的开发,完成透明ITO溅射镀膜及RTA工艺的开发,提高了产品出光功率。 
5. 负责各类芯片版图设计及验证。
2009年6月—2010年12月    南昌(江西)晶能光电公司(1年6个月)

科研人员  1000-2000元/月

行业类别: 电子技术/半导体/集成电路

公司规模: 500-999人

公司性质: 合资

工作描述:  实习生,各产线学习,完成课题相关实验。
1. 学习三五族化合物半导体发光二极管芯片制造各个环节,从外延生长一直到制成器件,包括光刻,清洗,,蒸发,刻蚀,CVD,划片,封装测试等。 
2. 主要从事化合物半导体发光二极管芯片的欧姆接触研究。
3. 负责大功率硅基氮化镓发光二极管芯片研制基及老化性能研究。
4. 完成多篇SCI论文发表。
项目经验
2017年3月 — 2018年6月     100Gbps光收发组件设计开发

工作描述: 项目主要负责人及主要核心团队人员
项目描述: 1. PSM4 25G TOSA激光器组件设计,芯片验证评估,工艺开发。
2. LR4 100G TOSA 结构设计,工艺开发,性能改善。
3. 25G TO56结构设计,工艺优化。
4. 25G EML TOSA结构设计,工艺开发及前期验证。
2014年4月 — 2017年2月     高功率化合物半导体激光器开发

工作描述: 项目负责人兼研发工程师
项目描述: 1. 负责高功率单bar半导体激光器工艺开发,目前已转产,解决了巴条和Submount手动组装精度控制和良率提升,解决了产品的光谱多峰问题,改善了产品smile特性。
2. 负责高功率半导体激光器阵列工艺开发,目前已批量出货德国,产品的可靠性已超过15000h。
3. 负责手持脱毛核心激光器前期设计,工艺开发,完成可靠性验证,因成本问题,项目暂停。
2013年8月 — 2014年3月     氮化镓功率器件研究

工作描述: 工艺研发及流片人员
项目描述: 协助版图设计,协助合作单位的工艺验证,包括源和漏欧姆接触的制作。
2012年5月 — 2013年5月     透明导电膜ITO溅射及RTA研究

工作描述: 采用集成电路退役的sputter调试ITO透明导电膜,并应用于发光芯片。
采用集成电路退役的快速退火炉调试出比炉管退火效果好的ITO,并应用于芯片。
研究溅射和快速退火对芯片出光功率的影响,寻找合适的方式提高芯片出光功率
项目描述: 1. 采用集成电路退役的sputter调试ITO透明导电膜,膜已经调试出来,透过率和方阻都OK,后续发现对p-GaN损伤较大,会增大产品电压,未解决。
2. 采用集成电路退役的快速退火炉调试出比炉管退火效果好的ITO,且完全应用于白光产品,亮度提升4-6%,电压无明显增加。
2011年3月 — 2012年5月     氮化镓基垂直结构发光二极管芯片研制

工作描述: 芯片的结构设计,n和p电极研究,wafer键合研究,芯片表面粗化提高出光研究,湿法独立化等工艺开发。
项目描述: 1. 走通垂直结构发光二极管芯片,未量产。
2. 完成NiAg工艺开发。
3. 完成湿法芯片独立化工艺开发。
4. 完成湿法N面粗化工艺开发。
5. 完成N面电极工艺开发。  
技能专长:  
简历留言: 个人特质:诚实守信,做事认真负责,对技术工作富有激情,学习和动手能力强,思路清晰,注重团队合作,特别注重时间观念。
语言技能:英语已过四六级,具备一定英语听说读写能力,能熟练阅读英文专业文献。
电脑技能:熟练掌握办公软件及Autocad,了解TFC,solidworks等专业软件,能熟练使用ansys仿真及设计半导体器件的热性能,能使用HFSS设计光电组件。
专业技能:
1. 熟悉半导体物理及器件相关知识,光发射器及PD等光电探测芯片工作机理,特别熟悉各类光电收发器件工作机理,理解高速信号传输相关知识,能够胜任光收发芯片选型及器件设计,封装工艺开发等工作。
2. 熟悉半导体光收发器各类封装形式,TO类,蝶形,BOX类等封装结构设计,热设计和工艺开发。
3. 具备化合物光电芯片设计,制造及封装工艺开发素养,有能力解决芯片设计及制造,封装过程等技术问题。
4. 有半导体光电行业生产工艺管理和维护经验,能结合实际设计出更易批量生产的产品,有较强的数据分析,产线异常分析和解决能力。